Infineon stellt neues Modul vor
16.02.01 00:00
de.internet
Infineon Technologies (WKN 623100) Anbieter von Chipsätzen für drahtlose Applikationen, stellte heute in München ein neues Leistungsverstärker-Modul für Mobiltelefone in 900-, 1800- und 1900-MHz-Netzwerken vor, melden die Experten von de.internet.
Das neue Bauteil ermögliche den Anwendern das Roaming zwischen GSM-, PCN- und PCS-Netzwerken. Mit dem LTCC- Leistungsverstärker (Low Temperature Co-fired Ceramics) CGM20GTriB wolle Infineon seine Position als Anbieter von HF-Halbleitern für den Telekommunikationsmarkt ausbauen.
Ewald Pettenpaul, General Manager und Vice President des Geschäftsfeldes Gallium-Arsenid bei Infineon Technologies habe gesagt: "Um der steigenden Nachfrage nach den GaAs-Leistungsverstärker-Modulen gerecht zu werden, haben wir unsere Backend Fertigungskapazitäten in Regensburg weiter ausgebaut." Das Triple-Band-LTCC-Modul basiere auf der GaAs-MESFET (MEtal Semiconductor Field-Effect Transistor)-Technologie von Infineon und verspreche eine hohe Zuverlässigkeit.
Der CGM20GTriB basiere auf dem CGM20G, einem Dual-Band-GSM/PCN-Leistungsverstärker-Modul entsprechend GPRS Class 12. Das CGM20G unterstütze maximale Datenraten von 57,6 kbit/s (up-link), das heiße die Datenrate sei etwa viermal so hoch wie bei Standard-GSM-Telefonen (14,4 kbit/s). Sie sei damit ebenfalls höher als bei analogen Standard-Modems und könne einen Durchbruch für die WAP-Technologie darstellen. Die neuen Leistungsverstärker-Module CGM20TriB seien in Volumenstückzahlen ab Mitte 2001 verfügbar. Muster würden bereits heute zur Verfügung stehen.
Das neue Bauteil ermögliche den Anwendern das Roaming zwischen GSM-, PCN- und PCS-Netzwerken. Mit dem LTCC- Leistungsverstärker (Low Temperature Co-fired Ceramics) CGM20GTriB wolle Infineon seine Position als Anbieter von HF-Halbleitern für den Telekommunikationsmarkt ausbauen.
Ewald Pettenpaul, General Manager und Vice President des Geschäftsfeldes Gallium-Arsenid bei Infineon Technologies habe gesagt: "Um der steigenden Nachfrage nach den GaAs-Leistungsverstärker-Modulen gerecht zu werden, haben wir unsere Backend Fertigungskapazitäten in Regensburg weiter ausgebaut." Das Triple-Band-LTCC-Modul basiere auf der GaAs-MESFET (MEtal Semiconductor Field-Effect Transistor)-Technologie von Infineon und verspreche eine hohe Zuverlässigkeit.
Der CGM20GTriB basiere auf dem CGM20G, einem Dual-Band-GSM/PCN-Leistungsverstärker-Modul entsprechend GPRS Class 12. Das CGM20G unterstütze maximale Datenraten von 57,6 kbit/s (up-link), das heiße die Datenrate sei etwa viermal so hoch wie bei Standard-GSM-Telefonen (14,4 kbit/s). Sie sei damit ebenfalls höher als bei analogen Standard-Modems und könne einen Durchbruch für die WAP-Technologie darstellen. Die neuen Leistungsverstärker-Module CGM20TriB seien in Volumenstückzahlen ab Mitte 2001 verfügbar. Muster würden bereits heute zur Verfügung stehen.
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