Infineon neuer Low-Power DRAM
12.02.01 00:00
de.internet
Der Halbleiterhersteller Infineon Technologies AG (WKN 623100), kündigte heute die Einführung einer neuen Reihe von Low-Power DRAMs an, die speziell für den Wachstumsmarkt mobiler Endgeräte konstruiert sind, berichten die Experten von „de.internet“.
Die "Mobile-RAM"-Produktlinie zeichne sich durch einen besonders geringen Leistungsverbrauch, kleinste Abmessungen und einen niedrigen Preis aus. Ein Mobile-RAM sei ein synchroner DRAM (SDRAM) mit niedriger Stromaufnahme, montiert in einem Ball-Grid-Array-Gehäuse mit geringem Kontaktabstand. Infineons erster Low-Power-DRAM verfüge über eine Gesamtkapazität von 128 Mbit und eigne sich für den Einsatz in mobilen Endgeräten wie Smart Phones und PDAs . Die Organisation des neuen Mobil-RAMs mit 8M x 16 erlaube die Verwendung in Umgebungen mit sowohl 16 wie auch 32 Bit Busbreiten.
Im Vergleich zu einem im Standard-TSOP-Gehäuse verpackten DRAM sei der Platzbedarf des Mobile-RAMs im BGA-Gehäuse um mehr als den Faktor 3 reduziert. Der Grund sei, sein Gehäuse sei mit acht mm x neun mm nur unwesentlich größer als der eigentliche Siliziumchip. Infineon biete weltweit das kleinste 128-Mbit-SDRAM im Chip-Size-Gehäuse (CSP) an. Zusammen mit weiteren Partnern der Halbleiterindustrie arbeite Infineon daran, die Low-Power-Features und das 54-polige FBGA-Gehäuse des Mobile-RAMs bei JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) zu standardisieren. Nach der erfolgten Standardisierung erwarte Infineon relativ kurzfristig kompatible Bausteine auf dem Markt, die das Mobile-RAM zu einem populären DRAM machen solle, das in hohen Stückzahlen eingesetzt werde. Die ersten Muster des 128-Mbit Mobile-RAMs in der Organisation 8M x 16 seien im zweiten Quartal 2001 verfügbar. Die Aufnahme der Stückzahlproduktion sei für Ende 2001 geplant.
Die "Mobile-RAM"-Produktlinie zeichne sich durch einen besonders geringen Leistungsverbrauch, kleinste Abmessungen und einen niedrigen Preis aus. Ein Mobile-RAM sei ein synchroner DRAM (SDRAM) mit niedriger Stromaufnahme, montiert in einem Ball-Grid-Array-Gehäuse mit geringem Kontaktabstand. Infineons erster Low-Power-DRAM verfüge über eine Gesamtkapazität von 128 Mbit und eigne sich für den Einsatz in mobilen Endgeräten wie Smart Phones und PDAs . Die Organisation des neuen Mobil-RAMs mit 8M x 16 erlaube die Verwendung in Umgebungen mit sowohl 16 wie auch 32 Bit Busbreiten.
Im Vergleich zu einem im Standard-TSOP-Gehäuse verpackten DRAM sei der Platzbedarf des Mobile-RAMs im BGA-Gehäuse um mehr als den Faktor 3 reduziert. Der Grund sei, sein Gehäuse sei mit acht mm x neun mm nur unwesentlich größer als der eigentliche Siliziumchip. Infineon biete weltweit das kleinste 128-Mbit-SDRAM im Chip-Size-Gehäuse (CSP) an. Zusammen mit weiteren Partnern der Halbleiterindustrie arbeite Infineon daran, die Low-Power-Features und das 54-polige FBGA-Gehäuse des Mobile-RAMs bei JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) zu standardisieren. Nach der erfolgten Standardisierung erwarte Infineon relativ kurzfristig kompatible Bausteine auf dem Markt, die das Mobile-RAM zu einem populären DRAM machen solle, das in hohen Stückzahlen eingesetzt werde. Die ersten Muster des 128-Mbit Mobile-RAMs in der Organisation 8M x 16 seien im zweiten Quartal 2001 verfügbar. Die Aufnahme der Stückzahlproduktion sei für Ende 2001 geplant.
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